Mitsubishi Electric toont eerste rem op frequentiespreiding in GaN-transistors

Wat er gebeurde

Mitsubishi Electric meldde dat het de effecten van frequentiespreiding door kristaldefecten in een GaN-transistor heeft opgehelderd. Het gaat om een transistor waarbij een GaN-epitaxielaag op een GaN-substraat is aangebracht. Het bedrijf laat weten dat het daarmee voor het eerst wereldwijd heeft aangetoond dat frequentiespreiding aanzienlijk kan worden verminderd.

Mitsubishi Electric stelt dat deze vermindering van frequentiespreiding het mogelijk maakt om consistent de van nature hoge prestaties van deze transistoren te realiseren.

De mededeling kwam van Mitsubishi Electric zelf en betreft een technische demonstratie van het bedrijf. Het bericht noemt geen commerciële productlancering of tijdpad voor toepassing in de markt.

Waarom dit telt

Voor beleggers in MMTOF is dit relevant omdat het laat zien dat Mitsubishi Electric voortgang boekt met technologie rond GaN-transistors, en dat technische barrières voor de prestaties mogelijk worden gereduceerd.