Onsemi introduceert EliteSiC M4 met hogere power density
onsemi heeft EliteSiC M4 geïntroduceerd, een nieuwe vierde generatie silicon carbide platform met een trench-architectuur. Het platform biedt hogere power density en lagere verliezen dan de vorige generatie.
Wat er gebeurde
onsemi zegt dat EliteSiC M4 tot 30% hogere power density levert en tot 35% lagere verliezen ten opzichte van de vorige generatie. De verbeteringen komen door betere conduction- en switchingprestaties en een trench-architectuur.
Het bedrijf noemt toepassingen in elektrische voertuigen, AI-datacenters en energie- en industriële systemen. onsemi stelt dat het platform klanten meer ontwerpvrijheid geeft om systemen compacter en efficiënter te maken.
onsemi wijst ook op een basis van betrouwbaarheid en noemt meer dan 16 miljard mijl aan bewezen silicon carbide werking in voertuigen wereldwijd. Een vertegenwoordiger van Schaeffler zegt dat hogere efficiency en power density meer flexibiliteit bieden bij het ontwerpen van tractie-inverters voor elektrische voertuigen.
De 750 V bare die voor automotive tractie-inverters is nu beschikbaar. Extra producten voor spanningen tot 1.200 V worden naar verwachting vanaf 2027 beschikbaar.
Waarom dit telt
Voor beleggers in ON betekent dit dat onsemi zijn productaanbod vernieuwt met focus op hogere power density en lagere verliezen, wat relevant is voor groeimarkten als EV, AI-datacenters en energie-infrastructuur.
Waar je op kunt letten
- Beschikbaarheid van de 1.200 V-producten begin 2027.
- Adoptie van EliteSiC M4 in tractie-inverters voor EVs.
- Gebruik in AI-datacenters en industriële systemen